特許

J-GLOBAL ID：200903086322884912

窒化アルミニウム、炭化珪素、及び窒化アルミニウム:炭化珪素合金のバルク単結晶の製造

発明者： ハンター,チャールズ・エリック
出願人/特許権者： クリー インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-576088
公開番号（公開出願番号）：特表2002-527342
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2002年08月27日
要約：

【要約】結晶成長閉鎖容器において、周囲表面未満の温度まで選択的に冷却される複式核形成部位上にAl、Si、N、Cの適当な蒸気種を堆積させることによって、AlN:SiC合金の低欠陥密度低不純物のバルク単結晶を製造する。当該蒸気種は、固体ソース材料を昇華させることによって、液体Al、Si若しくはAl-Siを気化させることによって、又はソースガスを噴射することによって、提供する。当該複式核形成部位は、播種されていないか、又は例えば4H型若しくは6H型SiCのような種結晶が存在する播種されているものであることができる。

請求項（抜粋）：

以下の工程:すなわち、 バルク単結晶を成長させるのに必要な選択された元素Al、Si、N及びCの蒸気種を結晶成長閉鎖容器中に提供する工程; 当該結晶成長閉鎖容器に複式核形成部位を提供する工程; 結晶成長閉鎖容器における周囲表面に比べて低い温度まで当該核形成部位を選択的に冷却する工程;及び 各核形成部位において生じる単結晶質AlNx:SiCyの成長を規定する条件下で当該蒸気種を堆積させる工程を含む、AlNx:SiCy(式中、x+y=1及びxは1→0であり、yは0→1である)のバルク単結晶を製造する方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 29/38 C ,  H01L 21/205

Fターム (15件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077BE13 ,  4G077DA18 ,  4G077EC02 ,  4G077EC05 ,  4G077EE05 ,  4G077EG17 ,  4G077SA01 ,  4G077SA12 ,  5F045AB06 ,  5F045AB09 ,  5F045AC15 ,  5F045AD18 ,  5F045DP05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• SiC単結晶を製造する装置及び方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平6-521527   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 特開昭59-054697
  
• 炭化ケイ素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-306100   出願人：日新製鋼株式会社