特許
J-GLOBAL ID:200903086326268175
多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (4件):
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
, 河村 英文
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-329127
公開番号(公開出願番号):特開2004-161877
出願日: 2002年11月13日
公開日(公表日): 2004年06月10日
要約:
【課題】誘電特性、密着性、塗膜の均一性、機械強度に優れ、吸湿性を低減化した多孔質膜を形成し得る膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、及びこの多孔質膜を内蔵する高性能かつ高信頼性を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】下記一般式(1)と(2)で表される加水分解性ケイ素化合物及びそれらの一部を加水分解縮合した生成物とからなる一群から選ばれる一以上の化合物を100重量部と、下記一般式(3)〜(8)で表される構造の制御された環状又は多分岐状のオリゴマーからなる一群から選ばれる一以上の架橋剤0.1〜20重量部との混合物を、酸又はアルカリ条件にて加水分解縮合を行うことにより得られる膜形成用組成物を用いる。R1aSiZ14-a (1)R2b(Z2)3-bSi-Y-Si(R3)cZ33-c (2)[R4(H)SiO]e[R5(Z4)SiO]f (3)(R6SiO3/2)g[R7(H)SiO]h[R8(Z5)SiO)i (4)(HSiO3/2)j(Z6SiO3/2)k (5)[H(Me)2SiO1/2]L[Z7(Me)2SiO1/2]m(R9SiO3/2)n[R10(Z8)SiO]o (6)[H(Me)2SiO1/2)]p[Z9(Me)2SiO1/2]q(SiO2)r(Z10SiO3/2)s (7)(Z113SiO1/2)t(R112SiO)u(R12SiO3/2)v[R13(Z12)SiO]w(SiO2)x(Z13SiO3/2)y(8)【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)と(2)で表される加水分解性ケイ素化合物及びそれらの一部を加水分解縮合した生成物とからなる一群から選ばれる一以上の化合物100重量部と、
R1aSiZ14-a (1)
R2b(Z2)3-bSi-Y-Si(R3)cZ33-c (2)
(上式中、R1とR2とR3は独立して置換又は非置換の1価炭化水素基を示し、Z1とZ2とZ3は独立して加水分解性基を示し、Yは独立して酸素原子とフェニレン基と炭素原子数1〜6のアルキレン基とからなる一群から選ばれ、aは独立して0〜3の整数を表し、b及びcは独立して0〜2の整数を示す。)
下記一般式(3)〜(8)で表される構造の制御された環状又は多分岐状のオリゴマーからなる一群から選ばれる一以上の架橋剤0.1〜20重量部との混合物を、
[R4(H)SiO]e[R5(Z4)SiO]f (3)
(R6SiO3/2)g[R7(H)SiO]h[R8(Z5)SiO)i (4)
(HSiO3/2)j(Z6SiO3/2)k (5)
[H(Me)2SiO1/2]L[Z7(Me)2SiO1/2]m(R9SiO3/2)n[R10(Z8)SiO]o (6)
[H(Me)2SiO1/2)]p[Z9(Me)2SiO1/2]q(SiO2)r(Z10SiO3/2)s (7)
(Z113SiO1/2)t(R112SiO)u(R12SiO3/2)v[R13(Z12)SiO]w(SiO2)x(Z13SiO3/2)y(8)
(上式中、Meはメチル基を表し、R4〜R13は独立して置換又は非置換の1価炭化水素基を示し、Z4〜Z13は独立して加水分解性基を示し、eとfとgとhとiとjとkは独立して0以上10以下の整数であるが、e+f≧3と、g+h+i≧4と、j+k≧4との関係を満たし、Lとmとnとoとpとqとrとsとtとuとvとwとxとyは0以上20以下の整数であるが、L+m+n+o≧4と、p+q+r+s≧4と、t+u+v+w+x+y≧3との関係を満たす。)
酸又はアルカリ条件にて加水分解縮合を行うことにより得られる多孔質膜形成用組成物。
IPC (8件):
C08G77/06
, C08G77/50
, C09D5/25
, C09D183/02
, C09D183/04
, C09D183/14
, H01L21/312
, H01L21/768
FI (8件):
C08G77/06
, C08G77/50
, C09D5/25
, C09D183/02
, C09D183/04
, C09D183/14
, H01L21/312 C
, H01L21/90 J
Fターム (42件):
4J035BA01
, 4J035BA04
, 4J035BA05
, 4J035BA14
, 4J035BA15
, 4J035HA01
, 4J035HA02
, 4J035LA03
, 4J035LB20
, 4J038DL021
, 4J038DL022
, 4J038DL031
, 4J038DL032
, 4J038DL042
, 4J038DL161
, 4J038DL162
, 4J038JC32
, 4J038KA06
, 4J038MA04
, 4J038NA07
, 4J038NA11
, 4J038NA12
, 4J038NA21
, 4J038NA24
, 4J038PA19
, 5F033GG01
, 5F033GG02
, 5F033GG03
, 5F033HH11
, 5F033KK11
, 5F033QQ74
, 5F033RR21
, 5F033RR23
, 5F033RR25
, 5F033RR29
, 5F033SS22
, 5F033TT01
, 5F033XX24
, 5F058AC03
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH02
引用特許:
前のページに戻る