特許

J-GLOBAL ID：200903086334794293

III-V族エピタキシャル・ウェハ製造

発明者： マシュアス・パスラック ,  ジョナサン・ケイ・アブロクワ ,  ラビ・ドュルーパッド ,  コレイ・ディー・オーバーガード
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 本城 雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-067801
公開番号（公開出願番号）：特開平10-289906
出願日： 1998年03月02日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】 表面を保護し安定性および信頼性改善を図った化合物半導体ウエハを提供する。【解決手段】 化合物半導体ウエハ(22)の表面(24)を保護する生産プロセスは、転送および装填モジュール(33),III-V成長チャンバ(35)および絶縁チャンバ(38)を有するマルチ・ウエハ・エピタキシャル生産システム(30)を用いる。転送および装填モジュール内にウエハを配置し、圧力を≦10-10 Torrに減圧する。その後、ウエハをIII-V成長チャンバに移動し、ウエハの表面上に化合物半導体物質の層(23)をエピタキシャル成長させる。次に、転送および装填モジュールを通じてウエハを絶縁チャンバに移動し、酸化物坩堝内の蒸着源を用い、流出セルからのガリウム酸化物分子を熱的に蒸着することによって、絶縁キャップ層(25)を形成する。酸化物坩堝は、蒸着源との共融合金を形成しない。

請求項（抜粋）：

化合物半導体ウエハ構造の表面保護方法であって:表面(24)を有する化合物半導体ウエハ構造(22)を用意する段階;および前記ウエハ構造(22)上に絶縁物質を熱的に蒸着することによって、前記ウエハ構造の前記表面上に絶縁キャップ層(25)を形成する段階;から成ることを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/02

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/02 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ガリウム酸化物薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-063712   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
• 光電子デバイス用ガリウム酸化物被膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-063713   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション