高さ調節可能な処理チャンバ内における基板上への薄膜層堆積プロセス及び装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島高城郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-586391
公開番号（公開出願番号）：特表2005-523385
出願日： 2003年04月16日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】処理チャンバ内で基板上に薄膜を堆積させる方法及び装置を提供する。【解決手段】反応容器(1,2,3)内に配置された処理チャンバ(4)の底部が垂直軸(6)周りに回転駆動可能な調節可能な基板ホルダ(5)を具備し、蓋がガス入口部品(7)を具備する。蓋は底部と平行に延び、ふるい状に配置されたガス放出部(8)と共にガス放出表面(10)を形成する。ガス放出表面は基板ホルダ(5)の基板支持表面(9)全体の上方に延在する。基板支持表面(9)とガス放出表面(10)の間の距離である処理チャンバの高さを、堆積プロセスの開始前及び/又は途中に変更可能である。

請求項（抜粋）：

反応容器(1、2、3)内に設置された処理チャンバ(4)内の基板上に薄膜層を堆積させるプロセスであって、該反応容器の底部が垂直方向の軸(6)の周りに回転駆動される温度制御可能な基板ホルダ(5)により形成され、該反応容器の蓋が該底部に平行に延在するガス入口部品(7)により形成され、該ガス入口部品(7)はふるい状の形態で設けられた複数のガス放出孔(8)によりガス放出表面(10)を形成し、該ガス放出表面(10)は前記基板ホルダ(5)の基板支持表面(9)全体の上方に延在し、該ガス放出表面を通ってプロセスガスが前記処理チャンバ(4)内へ導入される、薄膜層の堆積プロセスにおいて、前記基板支持表面(9)と前記ガス放出表面(10)の間の距離(H)で規定される前記処理チャンバの高さが、堆積プロセスの開始前及び/又は堆積プロセスの途中に変更されることを特徴とする薄膜層の堆積プロセス。

IPC (2件)：

C23C16/455 , H01L21/205

FI (2件)：

C23C16/455 , H01L21/205

Fターム (19件)：

4K030AA11 , 4K030EA05 , 4K030EA06 , 4K030GA01 , 4K030GA06 , 4K030JA03 , 4K030KA10 , 4K030KA17 , 4K030KA24 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AF04 , 5F045BB01 , 5F045BB04 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EF10

引用特許：

出願人引用 (6件)

米国特許第5,871,586号明細書
米国特許第5,781,693号明細書
国際公開99/42638号パンフレット

全件表示

審査官引用 (3件)

半導体製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-327391 出願人：株式会社日立国際電気
成膜処理装置及び成膜処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-245836 出願人：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-250058 出願人：株式会社日立国際電気

前のページに戻る