特許
J-GLOBAL ID：200903076017912897

成膜処理装置及び成膜処理方法

発明者：
神力 博

神力 博 について

, 
松本 賢治

松本 賢治 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245836
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077109
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 多元素の金属酸化物を用いた膜中における元素組成の均一性を高く維持することができ、しかも成膜速度も大きなガス導入構造を提供する。【解決手段】 原料ガスと酸化剤ガスとを処理容器4内に導入し、被処理体Wに所定の膜を成膜する成膜処理装置であって、前記原料ガスと酸化剤ガスとを前記処理容器内に導入可能に構成された処理ガス導入手段50と、前記処理容器内を所定の真空度に排気可能に構成された排気手段10,12,14と、成膜処理工程の際、第1の真空雰囲気時には、前記原料ガスを前記被処理体中央部付近に、かつ、前記酸化剤ガスを前記被処理体周辺部付近に供給し、さらに、第1の真空雰囲気により高圧の第2の真空雰囲気時には、前記原料ガスと前記酸化剤ガスとを前記被処理体略全面に対して供給可能に構成された、処理ガス供給手段67A〜67E,90とを設ける。これにより、多元素の金属酸化物を用いた膜中における元素組成の均一性を高く維持することができ、しかも成膜速度も大きくすることが可能となる。
請求項（抜粋）：
原料ガスと酸化剤ガスとを処理容器内に導入し、被処理体に所定の膜を成膜する成膜処理装置であって、前記原料ガスと酸化剤ガスとを前記処理容器内に導入可能に構成された処理ガス導入手段と、前記処理容器内を所定の真空度に排気可能に構成された排気手段と、成膜処理工程の際、第1の真空雰囲気時には、前記原料ガスを前記被処理体中央部付近に、かつ、前記酸化剤ガスを前記被処理体周辺部付近に供給し、さらに、第1の真空雰囲気により高圧の第2の真空雰囲気時には、前記原料ガスと前記酸化剤ガスとを前記被処理体略全面に対して供給可能に構成された、処理ガス供給手段と、を備えたことを特徴とする成膜処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31
FI (3件)：
H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 B
Fターム (50件)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA24 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030HA01 ,  4K030JA03 ,  4K030JA09 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD08 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB07 ,  5F045DC55 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB02 ,  5F045EE04 ,  5F045EE05 ,  5F045EF04 ,  5F045EF05 ,  5F045EF08 ,  5F045EK07 ,  5F045HA16 ,  5F045HA22 ,  5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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