半導体鏡面ウェーハの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石原詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-009519
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199465
出願日： 1996年01月23日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】片面を粗面とすることによってウェーハ表裏の判別を容易とするとともに平坦度の高い加工を可能とした新規な半導体鏡面ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】原料半導体ウェーハの片面に化学的気相成長法により酸化膜を成長させた後、該半導体ウェーハの両面を両面研磨機により鏡面研磨する。

請求項（抜粋）：

原料半導体ウェーハの片面に化学的気相成長法により酸化膜を成長させた後、該半導体ウェーハの両面を両面研磨機により鏡面研磨することを特徴とする半導体鏡面ウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304 321 , H01L 21/02

FI (3件)：

H01L 21/304 341 M , H01L 21/304 321 S , H01L 21/02 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

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審査官引用 (6件)

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