特許
J-GLOBAL ID：200903086353839656
ウエ-ハ片面エッチング方法及び装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀川 義示
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-031244
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232089
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】 ウエ-ハの片面を他面に影響を及ぼさずに効率よくエッチングできるようにする。【課題解決】 チャック(12)に保持したウエ-ハ(11)をエッチング液面(3)に接触させる。上記チャック(12)はカップ(13)に囲まれており、このカップ(13)の外枠(19)とウエ-ハ(11)の周縁部の間には、吹出間隙(20)が形成される。上記吹出間隙(20)からは、上記チャック(12)に沿って流下する調温風がリング状に吹き出す。上記チャック(12)は、上記ウエ-ハ(11)と温度差のない状態に保持され、ウエ-ハ全面の温度分布は均一になり、エッチングの厚さむらを生じない。
請求項（抜粋）：
所定の液温のエッチング液でエッチング液面を形成し、該エッチング液面に接するようウエ-ハをカップ内に設けたチャックで保持し、該カップの外枠を上記ウエ-ハとの間に吹出間隙を存してウエ-ハの周縁部に対向させ、上記カップ内に上記チャックに沿い上記吹出間隙から流出するよう調温風を供給し、上記ウエ-ハを上記エッチング液面に沿って移動させてエッチングするウエ-ハ片面エッチング方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/306 R
, H01L 21/68 P
, H01L 21/306 P
5F031CA02
, 5F031FA20
, 5F031GA08
, 5F031MA24
, 5F043EE04
, 5F043EE08
, 5F043EE09
, 5F043EE15
, 5F043EE16
, 5F043EE22
, 5F043EE25
, 5F043EE35
, 5F043EE40
, 5F043FF07
, 5F043GG10
審査官引用 (7件)
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半導体基板エッチング処理装置および方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-123471
出願人：株式会社日立製作所, 日立設備エンジニアリング株式会社
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特開平1-025539
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特開平3-272140
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