積層セラミックコンデンサおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-171974
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022611
出願日： 2002年06月12日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】セラミック層の自己発熱が低く、比誘電率、絶縁破壊電圧が共に高く、温度変化に対する静電容量の安定性が高く、内部電極として卑金属を使用することができる低発熱温度補償用積層セラミックコンデンサとその製法を提供する。【解決手段】セラミック層1と内部電極層2a,2bとを交互に積層した積層セラミックコンデンサであって、前記セラミック層1の結晶粒子および粒界は絶縁体で、前記結晶粒子と前記粒界はほぼ同一かつ均一な組成により構成されており、前記粒界にはガラス相などの偏析がない積層セラミックコンデンサとする。前記セラミック層の誘電正接(tan δ)は1kHz、20〜100°Cの温度範囲で0.1%以下であり、かつ周波数200kHz、電圧値2.0kV負荷で自己発熱温度が10°C以下であることが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

セラミック層と内部電極層とを交互に積層した積層セラミックコンデンサであって、前記セラミック層の結晶粒子および粒界は電気的絶縁体であり、前記結晶粒子と前記粒界はほぼ同一かつ均一な組成により構成されており、かつ前記粒界にはガラス相がないことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。

IPC (2件)：

H01G4/12 , H01G4/30

FI (5件)：

H01G4/12 349 , H01G4/12 358 , H01G4/12 361 , H01G4/12 364 , H01G4/30 301E

Fターム (29件)：

5E001AB03 , 5E001AC09 , 5E001AD00 , 5E001AE00 , 5E001AE01 , 5E001AE03 , 5E001AE04 , 5E001AG01 , 5E001AH01 , 5E001AH05 , 5E001AH09 , 5E001AJ02 , 5E001AJ04 , 5E082AB03 , 5E082BC15 , 5E082BC30 , 5E082BC35 , 5E082EE23 , 5E082FG01 , 5E082FG26 , 5E082FG54 , 5E082HH25 , 5E082HH47 , 5E082LL01 , 5E082MM24 , 5E082PP01 , 5E082PP03 , 5E082PP06 , 5E082PP09

引用特許：

審査官引用 (4件)

粒界絶縁型半導体磁器組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-059248 出願人：株式会社村田製作所
誘電体磁器組成物の製造方法および電子部品の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-076018 出願人：ティーディーケイ株式会社
非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-074810 出願人：株式会社村田製作所

全件表示

前のページに戻る