特許
J-GLOBAL ID：200903086369890996
レジスト用(メタ)アクリル酸誘導体ポリマーの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-350352
公開番号（公開出願番号）：特開2004-184636
出願日： 2002年12月02日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】LERの少ないレジストパターンを形成可能なホトレジスト用組成物及びレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】(a1)酸解離性溶解抑制基を有する(メタ)アクリル酸エステルと、(a2)ラクトン単位を有する(メタ)アクリル酸エステルとを含むモノマー混合物をラジカル重合する、(メタ)アクリル酸誘導体ポリマーの製造方法であって、前記(a1)と(a2)として、前記ラジカル重合条件で、前記(a1)と前記(a2)を、その化合物ごとに、それぞれ単独で重合することによって、重合開始から10分後のモノマー残存率を求めたとき、最小のモノマー残存率と、最大のモノマー残存率との差が15モル%以下であるものを用いることを特徴とするレジスト用(メタ)アクリル酸誘導体ポリマーの製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(a1)酸解離性溶解抑制基を有する(メタ)アクリル酸エステルと、(a2)ラクトン単位を有する(メタ)アクリル酸エステルとを少なくとも含むモノマー混合物をラジカル重合する、(メタ)アクリル酸誘導体ポリマーの製造方法であって、前記(a1)と(a2)として、前記ラジカル重合条件で、前記(a1)と前記(a2)を、その化合物ごとに、それぞれ単独で重合することによって、重合開始から10分後のモノマー残存率を求めたとき、最小のモノマー残存率と、最大のモノマー残存率との差が15モル%以下であるものを用いることを特徴とするレジスト用(メタ)アクリル酸誘導体ポリマーの製造方法。
IPC (5件)：
G03F7/039
, C08F220/18
, C08F220/28
, G03F7/027
, H01L21/027
G03F7/039 601
, C08F220/18
, C08F220/28
, G03F7/027 502
, H01L21/30 502R
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA09
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025BJ10
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025FA12
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100BA03R
, 4J100BA11Q
, 4J100BA20P
, 4J100BC07P
, 4J100BC07S
, 4J100BC08R
, 4J100BC09P
, 4J100BC09R
, 4J100BC09S
, 4J100BC53Q
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100FA03
, 4J100JA38
審査官引用 (1件)
-
高分子化学, 19930425, 第4版, 第44-48頁
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