平面表示装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小野寺洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-086508
公開番号（公開出願番号）：特開2005-276996
出願日： 2004年03月24日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】平面表示装置を構成する絶縁基板上に、各種の回路に必要な性能の結晶状態のシリコン膜を能動層形成時のアライメントマーク加工工程を削減して、高スループット、低コスト化を実現する。【解決手段】フォトマスク17にL字パターン20を設け、このL字パターン20と基板上の擬似単結晶領域11の周囲の直線あるいは略直線(辺)でパターンマッチングを行う。この時、L字型パターン20の辺22と擬似単結晶領域11の辺24間の距離ΔXと、L字型パターン20の辺23と擬似単結晶領域11の辺25間の距離ΔYが等しい距離となるようフォトマスク17と、基板を共にXYθの3軸に対して駆動して一致させる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

平面表示装置のアクティブ基板を構成する絶縁基板上にシリコン薄膜を形成するシリコン薄膜形成工程と、前記シリコン薄膜上に時間変調した連続発振レーザ光を同一速度で走査しながら照射して前記基板上に選択的に横方向成長多結晶シリコン薄膜を形成する横方向結晶成長工程と、前記横方向結晶成長工程で形成した前記横方向成長多結晶シリコン薄膜をパターニングして薄膜トランジスタの能動層を形成する多結晶シリコン薄膜パターニング工程と、を含み、前記絶縁基板にフォトマスクを用いたフォトリソグラフィー手法により薄膜トランジスタを有する回路を作り込んでアクティブ基板を得る平面表示装置の製造方法であって、前記多結晶シリコン薄膜パターニング工程で形成した前記横方向成長多結晶領域の平面形状の一部または全部を一方のアライメントマークとし、前記フォトマスクに有する他方のアライメントマークとして、前記絶縁基板の前記横方向成長多結晶領域と前記フォトマスクの位置合わせを行うことを特徴とする平面表示装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/336 , G09F9/30 , H01L21/20 , H01L29/786 , H05B33/14

FI (4件)：

H01L29/78 627C , G09F9/30 338 , H01L21/20 , H05B33/14 A

Fターム (47件)：

3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007GA00 , 5C094AA13 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094GB10 , 5F052AA02 , 5F052BA01 , 5F052BA07 , 5F052BA18 , 5F052BB01 , 5F052BB02 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052JA01 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110NN03 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN78 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP24 , 5F110PP29

引用特許：

出願人引用 (1件)

レーザアニール方法およびレーザアニール装置並びにTFT基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-312113 出願人：株式会社日立製作所

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