レーザアニール方法およびレーザアニール装置並びにTFT基板

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-312113
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124136
出願日： 2001年10月10日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】任意のパルス幅と時間的に任意のエネルギ変化を有し、空間的に均一なあるいは特定のエネルギ分布を有し、可干渉性のないレーザ光で非晶質あるいは粒径が1ミクロン以下の多結晶シリコン薄膜をアニールすることで、実質的に単結晶と同等の多結晶シリコン膜を得、駆動回路をTFT基板内に形成した液晶表示装置を得る。【解決手段】連続発振レーザ光をEOモジュレータによりパルス化すると共に時間的に任意のエネルギ変化を持たせ、ビームホモジナイザと任意の透過率分布のフィルタと矩形スリットにより空間的に任意のエネルギ分布を持たせ、高速回転する拡散板により可干渉性をなくしたレーザ光を対物レンズで集光して非晶質あるいは粒径が1ミクロン以下の多結晶シリコン膜の駆動回路を形成する領域のみに照射する。

請求項（抜粋）：

試料を載置して移動可能なステージ手段と、レーザ光を発生するレーザ光源手段と、該レーザ光源手段から発射したレーザ光のエネルギを時間的に変調する変調手段と、前記レーザ光源手段から発射したレーザ光を空間的に所望のエネルギ分布を有するように調整するエネルギ分布調整手段と、前記レーザ光源手段から発射したレーザ光の可干渉性を低減させる可干渉性低減手段と、前記変調手段と前記エネルギ分布調整手段と前記可干渉性低減手段とを通過したレーザ光を前記試料の表面に投影する投影光学系手段とを備えたことを特徴とするレーザアニール装置。

IPC (8件)：

H01L 21/268 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/20 , H01L 21/26 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01S 3/00

FI (8件)：

H01L 21/268 J , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/20 , H01S 3/00 B , H01L 21/26 T , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 618 Z

Fターム (60件)：

2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092MA15 , 2H092MA30 , 2H092MA35 , 2H092NA21 , 2H092PA01 , 5C094AA13 , 5C094AA25 , 5C094AA43 , 5C094AA48 , 5C094AA53 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA09 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA10 , 5C094EB02 , 5C094EB05 , 5C094FA01 , 5C094FB14 , 5C094GB10 , 5F052AA02 , 5F052BA04 , 5F052BA10 , 5F052BA11 , 5F052BA12 , 5F052BA18 , 5F052BB01 , 5F052BB02 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052FA19 , 5F052JA01 , 5F072AB02 , 5F072AB15 , 5F072AB20 , 5F072MM05 , 5F072MM08 , 5F072YY08 , 5F110AA01 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG60 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP24 , 5F110PP29

引用特許：

審査官引用 (10件)

レーザー装置及びレーザー光を用いた熱処理方法並びに半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-338799 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
レーザアニール装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-193716 出願人：株式会社日立製作所
集積型薄膜太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-015737 出願人：シャープ株式会社

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