特許

J-GLOBAL ID：200903086381260779

半導体装置及びその製造方法

発明者： 山森 義之
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-081503
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280494
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 樹脂封止後の反りが小さく、信頼性と耐熱性に優れたウエハーレベルパッケージ方式によるCSPを、容易に生産性良く製造することのできる、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 パッシベーション膜および半導体素子の素子電極用メタルポストが形成された、ウエハー状の半導体素子表面に、イミド化後の引張り弾性率が2000MPa以下で且つ線膨張係数が200ppm/°C以下、ガラス転移温度が200°C以上である、半硬化状態のポリアミック酸フィルムを加熱・圧着する工程、このポリアミック酸フィルムの形成されたウエハー状の半導体素子に熱処理を施して、イミド化を完結した後に、必要に応じてポリイミド封止材表面を研磨して、メタルポスト表面を露出させる工程、露出したメタルポスト表面に金属バンプを形成させる工程、金属バンプを形成したウエハーを裏面研磨およびダイシングする工程、を経て半導体装置を製造する。

請求項（抜粋）：

金属電極の形成された半導体素子パッシベーション膜上に、封止材層として、引張り弾性率が2000MPa以下、線膨張係数が200ppm/°C以下、且つ、ガラス転移温度が200°C以上であるポリイミド樹脂により、10〜300μmの膜厚で形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 73/10 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 501

FI (5件)：

C08G 73/10 ,  H01L 21/56 R ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 23/12 501 P ,  H01L 23/30 R

Fターム (35件)：

4J043PA04 ,  4J043QB26 ,  4J043QB31 ,  4J043RA34 ,  4J043SA06 ,  4J043SA67 ,  4J043TA14 ,  4J043TA22 ,  4J043UA121 ,  4J043UA131 ,  4J043UA132 ,  4J043UA142 ,  4J043UA342 ,  4J043UA432 ,  4J043UB122 ,  4J043UB351 ,  4J043VA012 ,  4J043WA07 ,  4J043WA09 ,  4J043ZA41 ,  4J043ZB02 ,  4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA22 ,  4M109EA08 ,  4M109EC04 ,  4M109EC05 ,  5F044QQ04 ,  5F044RR17 ,  5F044RR19 ,  5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA22 ,  5F061CB02 ,  5F061CB13

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 耐熱性樹脂接着剤シ-トおよび基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-056572   出願人：宇部興産株式会社
• 熱可塑性ポリイミド多層シート
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-212393   出願人：三井東圧化学株式会社
• 熱融着性ポリイミド樹脂フィルムおよびこれを用いた半導体装置ならびに多層配線板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-191941   出願人：日東電工株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-015953   出願人：三洋電機株式会社