半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-097948
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297696
出願日： 1998年04月09日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】めっき法により、下地表面との密着性が高く、エレクトロマイグレーション耐性の高いCu配線を形成する方法を提供する。【解決手段】半導体素子が形成された基板の表面上に、層間絶縁膜を堆積する。層間絶縁膜に、配線用の溝を形成する。配線用の溝の内面及び層間絶縁膜の表面上に、Cu原子の拡散を防止する材料からなるバリア層を堆積する。バリア層の表面上に、不純物を含んだCuからなるシード層を堆積する。シード層の上に、配線用の溝内を埋め尽くすように、めっき法によりCuからなる導電層を堆積する。基板を加熱し、シード層内の不純物を、少なくともシード層とバリア層との界面に析出させる。層間絶縁膜の上面が露出するまで、導電層、シード層、及びバリア層を除去し、表面を平坦化する。

請求項（抜粋）：

絶縁性の表面を有する基板と、前記基板の上に形成された配線であって、該配線がバリア層とCu層との積層構造を有し、該バリア層が前記Cu層のCu原子の下地基板への拡散を防止する材料で形成され、前記バリア層とCu層との界面に不純物が析出しており、該Cu層内に、前記界面に析出している不純物と同一の不純物を含み、その不純物濃度が、該Cu層とバリア層との界面から離れるに従って低くなっている前記配線とを有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 M , H01L 21/28 301 R , H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

チップ及びパッケージの相互接続用銅合金ならびにその製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-164895 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-004004 出願人：松下電子工業株式会社
特開平2-165632

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