特許
J-GLOBAL ID:200903086535372630
カーボンナノチューブ薄膜の製造方法、電子素子の製造方法、薄膜の製造方法、構造体の製造方法および気泡の形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森 幸一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-125118
公開番号(公開出願番号):特開2006-298715
出願日: 2005年04月22日
公開日(公表日): 2006年11月02日
要約:
【課題】 カーボンナノチューブ薄膜を均質にしかも高い膜厚制御性で容易に形成することができるカーボンナノチューブ薄膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 界面活性剤を含有させたカーボンナノチューブ分散液12に空気などの気体を混入させることにより、表面にカーボンナノチューブを担持した気泡16を形成する。この気泡16を基板15上に堆積させることにより、カーボンナノチューブ薄膜を形成する。このカーボンナノチューブ薄膜を例えばFETのチャネル材料に用いる。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
気泡の表面にカーボンナノチューブを担持させ、この気泡を基板上に堆積させるようにした
ことを特徴とするカーボンナノチューブ薄膜の製造方法。
IPC (3件):
C01B 31/02
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (3件):
C01B31/02 101F
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 618A
Fターム (19件):
4G146AA11
, 4G146AB06
, 4G146AB07
, 4G146AD28
, 4G146CB17
, 4G146CB40
, 5C127BA09
, 5C127BA15
, 5C127BB07
, 5C127CC03
, 5C127DD13
, 5C127DD20
, 5F110AA26
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110GG01
, 5F110GG25
, 5F110GG42
, 5F110GG57
引用特許: