特許
J-GLOBAL ID：200903086538289253

半導体発光装置

発明者：
押尾 博明

押尾 博明 について

, 
武沢 初男

武沢 初男 について

, 
下村 健二

下村 健二 について

, 
安達 正樹

安達 正樹 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (2件)： 松山 允之 ,  日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-207680
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055632
出願日： 2002年07月17日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】高い光取り出し効率と、良好な生産性を有し、短波長においても高い輝度が得られる半導体発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】実装部材(105)と、前記実装部材の上に設けられ、発光層(124)を有する半導体発光素子(102)と、前記半導体発光素子の周囲において前記実装部材の上に設けられ、前記発光層から放出される光を反射するフィラーを含有し、前記半導体発光素子の側面において前記発光層を実質的に覆わない樹脂層(200)と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
実装部材と、 前記実装部材の上に設けられ、発光層を有する半導体発光素子と、 前記半導体発光素子の周囲において前記実装部材の上に設けられ、前記発光層から放出される光を反射するフィラーを含有し、前記半導体発光素子の側面において前記発光層を実質的に覆わない樹脂層と、 を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (3件)：
H01L33/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31
FI (2件)：
H01L33/00 N ,  H01L23/30 B
Fターム (30件)：
4M109AA02 ,  4M109BA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA06 ,  4M109DB07 ,  4M109DB17 ,  4M109EA10 ,  4M109EB12 ,  4M109EE13 ,  4M109GA01 ,  5F041AA04 ,  5F041AA09 ,  5F041AA11 ,  5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041DA02 ,  5F041DA07 ,  5F041DA17 ,  5F041DA26 ,  5F041DA44 ,  5F041DB01 ,  5F041DB03 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 半導体発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-089951   出願人：松下電子工業株式会社
  • 発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-084574   出願人：日亜化学工業株式会社
  • 発光素子とその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-249811   出願人：日亜化学工業株式会社
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