特許
J-GLOBAL ID：200903086545686330
電解コンデンサおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-308809
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219862
出願日： 1998年10月29日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 量産工程に適用しやすい二液法による電解コンデンサの製造方法において、導電性高分子の収率を改善する。また、多孔体中心部の導電性高分子の形成量を増加させることにより、容量達成率および高周波特性を改善する。【解決手段】 予め酸化皮膜を形成した弁金属の多孔体をモノマー溶液と酸化剤溶液とに個別に浸漬させ、酸化皮膜上に導電性高分子層を形成する。モノマー溶液から引き上げられた多孔体を酸化剤溶液に浸漬させる時間を、多孔体に含まれるモノマーの30%が拡散により流出する時間以下として、多孔体外部へのモノマーの流出を抑制する。さらに、反応温度を低下させるために、酸化剤溶液に浸漬する際の多孔体の温度を低温(例えば10°C以下)とする。
請求項（抜粋）：
弁金属の多孔体と、前記弁金属の表面に形成された酸化皮膜と、前記酸化皮膜の表面に形成された導電性高分子層とを含む電解コンデンサの製造方法であって、前記導電性高分子層を形成する工程が、前記酸化皮膜が形成された前記多孔体を、モノマーを含むモノマー溶液に浸漬させる工程と、前記多孔体を前記モノマー溶液から引き上げ、酸化剤を含む酸化剤溶液に浸漬させる工程と、前記多孔体を前記酸化剤溶液から引き上げて保持する工程とを含み、前記多孔体を前記酸化剤溶液に浸漬させる工程において、前記多孔体を前記酸化剤溶液に浸漬する時間を、前記多孔体の空孔に含まれる前記モノマーの30%が拡散により前記酸化剤溶液へと流出する時間以下とすることを特徴とする電解コンデンサの製造方法。
FI (2件)：
H01G 9/02 331 H
, H01G 9/02 331 E
