特許
J-GLOBAL ID：200903086548593317
窒化物半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
佐野 静夫
, 山田 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-044630
公開番号（公開出願番号）：特開2005-236109
出願日： 2004年02月20日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】クラックの発生を抑制し、表面平坦性の良好な窒化物半導体成長層が形成された窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】上面にストライプ状に延在する溝及び丘が形成された窒化物半導体基板と、窒化物半導体基板上に積層される複数の窒化物半導体層から成る窒化物半導体成長部と、を備えた窒化物半導体発光素子において、窒化物半導体基板上に、窒化物半導体成長部を、溝上に積層した前記窒化物半導体成長部の高さが、丘上に積層した窒化物半導体成長部の高さより低くなるように、積層することにより、溝上又は丘上の少なくとも一方に、その幅が10μm以上となる平坦な領域を形成する工程を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
その上面にストライプ状に延在する溝及び丘が形成された窒化物半導体基板と、該窒化物半導体基板上に積層される複数の窒化物半導体層から成る窒化物半導体成長部と、を備えた窒化物半導体発光素子の製造方法において、
前記窒化物半導体基板上に、前記窒化物半導体成長部を、前記溝上に積層した前記窒化物半導体成長部の高さが、前記丘上に積層した前記窒化物半導体成長部の高さより低くなるように、積層することにより、前記溝上又は前記丘上の少なくとも一方に、その幅が10μm以上となる平坦な領域を形成する第1ステップと、
形成された前記平坦な領域の前記窒化物半導体成長部の表面に凸状のリッジストライプ部を形成する第2ステップと、
前記リッジストライプ部と平行な方向に延在する分割ラインに沿って、前記溝上又は前記丘上の少なくとも一方で分割を実施する第3ステップと、
を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA06
, 5F073DA25
, 5F073DA32
, 5F073DA34
, 5F073EA23
, 5F073EA28
