特許
J-GLOBAL ID：200903008391345895

窒化物半導体素子

発明者：
長濱 慎一

長濱 慎一 について

, 
中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-331797
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299497
出願日： 1999年11月22日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】 GaN基板上に成長させるデバイス構造に微細なクラックが発生することを防止し、寿命特性などの素子特性を向上させ、信頼性の更なる向上が可能な窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 GaN基板上に、GaNより熱膨張係数の小さい窒化物半導体[Al<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0<a<1)]を成長させ、その上にデバイス構造を形成させてなる。
請求項（抜粋）：
GaN基板上に、GaNより熱膨張係数の小さい窒化物半導体を成長させ、その上にデバイス構造を形成させてなる窒化物半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/20 ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/205
引用特許：
審査官引用 (6件)
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