特許
J-GLOBAL ID：200903015722002507
半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-396900
公開番号（公開出願番号）：特開2003-198057
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 端面窓構造型のAlGaInN系などの半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 (0001)面を主面とするGaN基板に、少なくとも1つのステップ状構造Sが設けられ、少なくともInを含む2種類のIII族元素とNを含むV族元素を含む活性層と、該活性層の上層および下層にそれぞれ配置された第1導電型のクラッド層および第2導電型のクラッド層を有する半導体積層体が形成されており、活性層の端面が共振器の端面となって該共振器端面間に導波路Pを構成し、ステップ状構造Sの上段側であって、導波路Pの共振器端面を除く部分がステップ状構造Sの近傍に、導波路Pの共振器端面部分がそれよりも遠ざけられて、導波路Pが配置されている構成とする。
請求項（抜粋）：
活性層の端面が共振器の端面となって該共振器端面間に導波路を構成する半導体レーザ素子であって、少なくとも一つのステップ状構造が設けられた基板上に、少なくともInを含む2種類のIII族元素とNを含むV族元素とを含む活性層と、活性層の上層及び下層にそれぞれ配置された第1導電型のクラッド層及び第2導電型のクラッド層とを有する半導体積層体を備え、上記ステップ状構造の上段側であって、上記導波路の共振器端面を除く部分が上記ステップ状構造の近傍に位置し、上記導波路の共振器端面部分と上記ステップ状構造との間の距離が上記導波路の共振器端面を除く部分と上記ステップ状構造との間の距離よりも大きくなるように、上記導波路が配置されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
Fターム (15件)：
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073AA87
, 5F073AA89
, 5F073BA05
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB03
, 5F073CB06
, 5F073CB11
, 5F073DA05
, 5F073DA25
, 5F073EA24
, 5F073EA28
