特許
J-GLOBAL ID：200903086582947012

有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びにこの有機薄膜トランジスタを備える平板表示装置

発明者：
安 澤

安 澤 について

, 
具 存 本

具 存 本 について

, 
徐 ▲ちゅる▼ 徹

徐 ▲ちゅる▼ 徹 について


出願人/特許権者：
三星エスディアイ株式会社

三星エスディアイ株式会社 について


代理人 (3件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-163324
公開番号（公開出願番号）：特開2006-140433
出願日： 2005年06月02日
公開日（公表日）： 2006年06月01日
要約：
【課題】有機半導体層の表面損傷を防止し、オフ電流を減少させうる有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】基板110と、基板110上に形成されたソース/ドレイン電極12/125と、基板110上に形成され、ソース/ドレイン電極12/125及びそれらの間にかけて形成されるチャンネル層135を含む半導体層130と、半導体層130上に形成されるゲート絶縁膜140と、半導体層130とゲート絶縁膜140とにかけて形成されて、チャンネル層135を分離させるための分離パターン145と、チャンネル層135の上部のゲート絶縁膜140上に形成されるゲート電極155とを含むOTFT。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成されたソース/ドレイン電極と、 前記基板上に形成され、前記ソース/ドレイン電極及びそれらの間にかけて形成されるチャンネル層を含む半導体層と、 前記半導体層上に形成されるゲート絶縁膜と、 前記半導体層とゲート絶縁膜とにかけて形成され、前記チャンネル層を分離するための分離パターンと、 前記チャンネル層の上部のゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H05B 33/02 ,  H01L 51/50 ,  H01L 51/05
FI (6件)：
H01L29/78 621 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/28
Fターム (17件)：
3K007BA06 ,  3K007BA07 ,  3K007CA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG05 ,  5F110NN61 ,  5F110NN71
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 韓国特許公開公報2004-0028010号明細書
  • 韓国特許公報2004-0084427号明細書
  • 薄膜トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-285513   出願人：日本電気株式会社
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM