電界効果トランジスタ構成および電界効果トランジスタ構成の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：吉武賢次 , 玉真正美 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-530842
公開番号（公開出願番号）：特表2007-500452
出願日： 2004年05月13日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：

有機半導体を有する電界効果トランジスタ、特に相互接続構造を有する複数の電界効果トランジスタを含むデバイスを製造する方法が提供される。ここで、4層に対して3つのフォトリソグラフィ・マスクが使用される。それに加えて、トランジスタがトップ・ゲート構造で提供され、有機半導体層(307)および誘電体層(309)が構造であり、一緒にパターン化される。電界効果トランジスタ(300)に関連しない領域または第1および第2導電体層(303,305,501)の交差導電体部に関連しない領域から半導体層(307)および誘電体層(309)を取り除くことができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの電界効果トランジスタが基板上に提供される電子デバイスの製造方法であって、少なくとも1つの電界効果トランジスタを提供する工程が、基板上にパターン化された第1導電体層を付着する段階と、前記第1導電体層上に有機半導体層を付着する段階と、前記半導体層上に誘電体層を付着する段階と、前記有機半導体層および誘電体層を一緒にパターン化する段階と、前記パターン化された誘電体層上にパターン化された第2導電体層を付着する段階とを含む電子デバイスの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 51/05

FI (2件)：

H01L29/78 618B , H01L29/28 100A

Fターム (14件)：

5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD12 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110NN02 , 5F110NN27 , 5F110NN36 , 5F110QQ04

引用特許：

審査官引用 (12件)

電界効果型トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-146004 出願人：株式会社日立製作所
特開昭61-179486
絶縁ゲイト型電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-016063 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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