基板処理装置および基板処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川崎実夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-394445
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197597
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】所望の温度の液滴を基板表面に噴射することができ、これにより基板処理効率を高めることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】この基板処理装置は、気体と液体とが混合されて生成された液滴をウエハWの表面に噴射してウエハWの表面を処理する。この装置は、気体と液体とを混合させて液滴を生成させ、この液滴を基板の表面にソフトスプレーノズル21と、このソフトスプレーノズル21にエッチング液およびリンス液をそれぞれ供給するエッチング液供給配管220およびリンス液供給配管221と、ソフトスプレーノズル21に窒素ガスを供給する窒素ガス供給配管222とを備えている。エッチング液供給配管220、リンス液供給配管221および窒素ガス供給配管222には、それぞれ、温度調節器220b,221b,222bが介装されている。

請求項（抜粋）：

気体と液体とが混合されて生成された液滴を基板の表面に噴射して基板表面を処理する基板処理装置であって、気体と液体とを混合させて液滴を生成させ、この液滴を基板の表面に噴射するノズルと、このノズルに接続され、このノズルに液体を供給する液体供給管と、上記ノズルに接続され、このノズルに気体を供給する気体供給管と、この気体供給管を流通する気体の温度を調節する気体温度調節手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。

IPC (8件)：

H01L 21/304 648 , H01L 21/304 643 , B05B 7/06 , B05B 7/16 , B05D 1/02 , B08B 3/02 , B08B 5/00 , G02F 1/13 101

FI (8件)：

H01L 21/304 648 G , H01L 21/304 643 C , B05B 7/06 , B05B 7/16 , B05D 1/02 Z , B08B 3/02 B , B08B 5/00 Z , G02F 1/13 101

Fターム (48件)：

2H088FA21 , 2H088FA30 , 2H088HA01 , 2H088MA20 , 3B116AA01 , 3B116AB33 , 3B116AB47 , 3B116BB38 , 3B116BB82 , 3B116BB90 , 3B116CC01 , 3B116CD41 , 3B201AA01 , 3B201AB33 , 3B201AB47 , 3B201BB38 , 3B201BB82 , 3B201BB90 , 3B201BB92 , 3B201BB98 , 3B201CC01 , 3B201CD41 , 4D075AA02 , 4D075AA54 , 4D075AA68 , 4D075AA74 , 4D075BB22X , 4D075BB93X , 4D075CA47 , 4D075DA06 , 4D075DB13 , 4D075DB14 , 4D075DC24 , 4D075EA07 , 4D075EA45 , 4F033QA01 , 4F033QA09 , 4F033QB02Y , 4F033QB03X , 4F033QB12Y , 4F033QB16X , 4F033QC02 , 4F033QD02 , 4F033QE09 , 4F033QE21 , 4F033QG33 , 4F033QG38 , 4F033QG39

引用特許：

審査官引用 (5件)

洗浄装置および洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-127984 出願人：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-052003 出願人：澁谷工業株式会社, シブヤマシナリー株式会社
半導体素子製造用ウェ-ハ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-354267 出願人：三星電子株式会社

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