特許
J-GLOBAL ID：200903023266902196
半導体素子製造用ウェ-ハ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-354267
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195839
出願日： 1999年12月14日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 スピンチャックに安着されたウェーハ上に供給されるウェーハ処理溶液の温度変化を最小化することでエッチング工程または洗浄工程等の処理工程の均一度を向上させる半導体素子製造用ウェーハ処理装置を提供する。【解決手段】 回転軸2と、回転軸2によって支持されウェーハWが固定されるチャック8と、ウェーハW上にウェーハ処理溶液を供給するための溶液ノズル25、ウェーハWの裏面にガスを供給するためのガス供給通路4及びウェーハWの裏面に供給されるガスを加熱するためのヒータ30を含めてなる。
請求項（抜粋）：
回転軸と、前記回転軸によって支持され、処理されるウェーハが固定されるチャックと、前記ウェーハ上にウェーハ処理溶液を供給するための溶液ノズルと、前記ウェーハの裏面にガスを供給するためのガス供給手段と、前記ウェーハの裏面に供給される前記ガスを加熱するためのヒータと、を備えることを特徴とする半導体素子製造用ウェーハ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, H01L 21/304 643
, H01L 21/68
H01L 21/306 R
, H01L 21/304 643 A
, H01L 21/68 N
