特許
J-GLOBAL ID：200903086590059142
半導体装置検査方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-387695
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188219
出願日： 2001年12月20日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】常温ウエハ検査と高温製品出荷検査の異なる検査温度間での詳細な検査データ比較を行い安定した歩留まりを供給する半導体装置検査方法を提供する。【解決手段】検査データを記憶するためのメモリを設けた半導体装置を常温ウエハ検査する常温ウエハ検査工程S200と、得られた常温検査データを半導体装置のメモリに記憶する常温検査データ書き込み工程S201と、常温検査データを読み出す常温検査データ読み出し工程S202と、常温検査データを読み出した前記半導体装置を高温製品出荷検査する高温製品出荷検査工程S400と、常温検査データと高温製品出荷検査工程で測定した高温検査データにより半導体製品の温度依存特性を検査する温度依存特性検査工程S500を含む。
請求項（抜粋）：
検査データを記憶するためのメモリを設けた半導体装置を常温ウエハ検査する常温ウエハ検査工程と、前記常温ウエハ検査工程で測定した常温検査データを前記半導体装置のメモリに記憶する常温検査データ書き込み工程と、前記常温検査データ書き込み工程で前記半導体装置のメモリに記憶した常温検査データを読み出す常温検査データ読み出し工程と、前記常温検査データ読み出し工程で常温検査データを読み出した前記半導体装置を高温製品出荷検査する高温製品出荷検査工程と、前記常温検査データ読み出し工程で読み出した常温検査データと前記高温製品出荷検査工程で測定した高温検査データにより半導体製品の温度依存特性を検査する温度依存特性検査工程を含む半導体装置検査方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 H
, G01R 31/28 U
2G132AA00
, 2G132AB14
, 2G132AK00
, 2G132AL11
, 2G132AL12
, 4M106AA01
, 4M106BA01
, 4M106BA14
, 4M106CA01
, 4M106CA15
, 4M106CA16
