特許

J-GLOBAL ID：200903086592668480

半導体素子及びその製造方法

発明者： 松下 保彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-047576
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251635
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子の特性の向上を図ることにある。【解決手段】 SiC基板1上にp型SiCからなる第1のクラッド層2、In<SB></SB><SB>(1-X)</SB>Ga<SB>X</SB>N(0≦X<1)からなる活性層3、n型Al<SB>(1-Y)</SB>Ga<SB>Y</SB>N(0≦Y≦1)からなる第2のクラッド層4を順に積層した半導体素子であって、第2のクラッド層4の上に厚みが2μm以上のn型電極を備えた。この構造により、活性層3の上部に低温成長可能なn型クラッド層4を成長させることにより、クラッド層4の成長中における活性層3の熱分解による格子欠陥の発生を防止できる。また、n型電極が衝撃吸収層として機能し、n型電極よりも下の層を、格子定数差に起因するクラックの発生が生じにくい薄膜に維持することができる。

請求項（抜粋）：

p型SiCからなる第1の層、In<SB>(1-X)</SB>Ga<SB>X</SB>N(0≦X<1)からなる第2の層、n型GaN系化合物半導体からなる第3の層、を順に積層した半導体素子であって、前記第3の層の上に厚みが2μm以上のn型電極を備えることを特徴とする半導体素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-081950   出願人：豊田合成株式会社
• 特開平2-177577
  
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-198336   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平2-177577