半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-081950
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250540
出願日： 1995年03月13日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】ワイヤボンディング時に結晶成長層へダメージを与えない構成の半導体光素子を提供すること。【構成】窒素化合物系半導体の発光素子100 では、サファイヤ基板1が固い材料であることから、ワイヤボンディング時に半導体層にダメージを受けていたことが判明した。この構成の発光素子100 においてはボンディングの領域は不透明で発光とは関係ないため、電気的通電が確保される構成であればよい。従って、ボンディング時の圧着によって生じる下の半導体層へのダメージをなくすためにワイヤボンディング用電極パッド10を厚くする。電極パッド10は金属であり、塑性変形して衝撃を緩和させることから、下部の半導体層へのダメージを抑制する。電極パッド10が厚い構造であるために、ボンディング圧着時に、下の半導体層へのダメージが抑制され、半導体装置として耐久性が向上した。

請求項（抜粋）：

電極パッドを半導体活性層の上に有するサファイア基板の半導体装置において、該電極パッドの厚さがワイヤボンディング時の加工ダメージを前記半導体活性層に与えない厚さであることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 301 , H01L 21/321 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/60 301 N , H01L 33/00 E , H01L 21/92 602 J , H01L 21/92 603 F

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-321280
磁電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-287926 出願人：旭化成工業株式会社
光半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-222921 出願人：沖電気工業株式会社

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