GaN系発光素子およびその作成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-138978
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320089
出願日： 2000年05月11日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 GaNPやGaNAsを活性層とした良質なGaN系発光素子およびその作成方法を提供すること。【解決手段】 n型GaN層13上に積層されたp型GaN層14中にPをイオン注入し、その後加熱することによって、活性層となるGaNP層15を形成する。

請求項（抜粋）：

p型GaN系化合物半導体層と、前記p型GaN系化合物半導体層に接合されたn型GaN系化合物半導体層と、活性層として、前記p型GaN系化合物半導体層または前記n型GaN系化合物半導体層にAs(砒素)またはP(燐)をイオン注入した後に熱処理を施すことで形成されたGaNAs層またはGaNP層と、を備えて構成されたことを特徴とするGaN系発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 F , H01L 33/00 C

Fターム (6件)：

5F041AA12 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA71 , 5F041CA73 , 5F041CB28

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-028300 出願人：古河電気工業株式会社
特開平4-261044
3族窒化物半導体平面発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-338503 出願人：豊田合成株式会社

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