特許
J-GLOBAL ID:200903086603306144

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-242115
公開番号(公開出願番号):特開2009-076241
出願日: 2007年09月19日
公開日(公表日): 2009年04月09日
要約:
【課題】電力効率、色度安定性、折り曲げ耐性が高い大面積の有機EL素子の製造方法を提供することにある。【解決手段】有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、基板A上に少なくとも1層以上の有機層Aがウエットプロセスで形成されていて、かつ、基板B上に少なくともp型の正孔輸送層またはn型の電子輸送層を含む有機層Bをあらかじめ形成しておき、転写法または貼合法で前記有機層A上へ前記有機層Bを形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、基板A上に少なくとも1層以上の有機層Aがウエットプロセスで形成されていて、かつ、基板B上に少なくともp型の正孔輸送層またはn型の電子輸送層を含む有機層Bをあらかじめ形成しておき、転写法または貼合法で前記有機層A上へ前記有機層Bを形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
IPC (2件):
H05B 33/10 ,  H01L 51/50
FI (4件):
H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 B ,  H05B33/22 D
Fターム (19件):
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB03 ,  3K107CC06 ,  3K107CC14 ,  3K107CC21 ,  3K107CC42 ,  3K107CC45 ,  3K107DD17 ,  3K107DD50 ,  3K107DD73 ,  3K107DD76 ,  3K107FF05 ,  3K107FF14 ,  3K107FF15 ,  3K107FF17 ,  3K107GG06 ,  3K107GG09 ,  3K107GG26
引用特許:
出願人引用 (2件)

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