半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-374379
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250921
出願日： 2000年12月08日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】低耐圧型トランジスタと高耐圧型トランジスタとを同一基板に混載する半導体装置において、十分に素子の微細化,多層化に対応でき、かつ高耐圧型トランジスタが形成された領域において高信頼性の素子分離を実現できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置100は、半導体基板11に、異なる電圧によって駆動する高耐圧型トランジスタQn,Qpと低耐圧型トランジスタとを有する。高耐圧型トランジスタが配置された領域では、高耐圧型トランジスタ上の第1層間絶縁膜16および第2層間絶縁膜17を介して設けられ、高電位が与えられる金属配線層19a,19bと、素子分離絶縁膜14と金属配線層19a,19bとの間、すなわち第1層間絶縁膜16の上に設けられた固定電位配線層18a,18bと、を有する。固定電位配線層18a,18bは、それぞれ、コンタクト部42a,42bを介して、半導体基板11に形成された不純物拡散層からなるコンタクト領域40a,40bに接続されている。

請求項（抜粋）：

同一基板に、異なる電圧によって駆動する高耐圧型トランジスタと低耐圧型トランジスタとを含む半導体装置であって、前記高耐圧型トランジスタが配置された領域では、前記高耐圧型トランジスタの上に層間絶縁膜を介して設けられ、高電位が与えられる配線層と、少なくとも、素子分離絶縁膜と前記配線層との間に設けられた固定電位配線層と、を含む半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/08 331 , H01L 21/761 , H01L 21/76 , H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 27/08 331 A , H01L 21/76 J , H01L 21/76 S , H01L 21/88 S

引用特許：

出願人引用 (4件)

集積回路チップ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-170709 出願人：インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレイション
特開平4-323852
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-172627 出願人：現代電子産業株式会社

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審査官引用 (4件)

集積回路チップ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-170709 出願人：インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレイション
特開平4-323852
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-172627 出願人：現代電子産業株式会社

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