特許
J-GLOBAL ID：200903086613318604

低融点金属バンプの形成方法

発明者：
大平 武征

大平 武征 について

, 
関口 旭司

関口 旭司 について


出願人/特許権者：
荏原ユージライト株式会社

荏原ユージライト株式会社 について


代理人 (1件)： 小野 信夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-269686
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100850
出願日： 1998年09月24日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 ハンダめっきに代わりうる、実用性のあるバンプ形成のための電気めっき方法を提供すること。【解決手段】 電気めっきにより半導体チップまたはパッケージに低温融解性金属バンプを形成する方法において、電気めっき浴として次の成分、(a)少なくとも一種のアルカンスルホン酸イオン又はアルカノールスルホン酸イオンを5〜300g/l、(b)Agイオンを0.01〜10g/l、(c)Sn2+およびBi3+から選ばれた金属イオンの1種を0.1〜40g/L、(d)含イオウ化合物の1種を0.01〜40g/l、(e)非イオン界面活性剤を0.5〜30g/lを含有する銀系合金めっき浴を用い、電流を矩形パルス波または多段矩形波の繰り返しで与えることを特徴とする低融点金属バンプの形成方法。
請求項（抜粋）：
電気めっきにより半導体チップまたはパッケージに低温融解性金属バンプを形成する方法において、電気めっき浴として次の成分、(a)少なくとも一種のアルカンスルホン酸イオン又はアルカノールスルホン酸イオンを5〜300g/l、(b)Agイオンを0.01〜10g/l、(c)Sn2+およびBi3+から選ばれた金属イオンの1種を0.1〜40g/L、(d)含イオウ化合物の1種を0.01〜40g/l、(e)非イオン界面活性剤を0.5〜30g/lを含有する銀系合金めっき浴を用い、電流を矩形パルス波または多段矩形波の繰り返しで与えることを特徴とする低融点金属バンプの形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  C25D 3/64 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288
FI (7件)：
H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/60 311 S ,  C25D 3/64 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/288 M ,  H01L 21/92 603 A
Fターム (18件)：
4K023AB34 ,  4K023AB40 ,  4K023CB05 ,  4K023CB11 ,  4K023CB13 ,  4K024AA15 ,  4K024BB12 ,  4K024CA01 ,  4K024CA02 ,  4K024CA06 ,  4K024CA07 ,  4K024GA16 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD52 ,  5F044KK19 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04
引用特許：
審査官引用 (3件)

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