特許
J-GLOBAL ID：200903086613893080

高密度光記録方法

発明者：
谷口 義輝

谷口 義輝 について

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梅原 英樹

梅原 英樹 について

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広瀬 純夫

広瀬 純夫 について


出願人/特許権者：
三井化学株式会社

三井化学株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-018756
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214423
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【解決手段】 グルーブを有する透明な基板上に、直接又は他の層を介して、レーザー光を吸収する色素を含有する記録層と、該記録層の上に直接又は他の層を介して金属の反射層を有する光記録媒体に、最短ピット長をPmin 、λ/NA[λは記録波長[μm]、NAはピックアップの対物レンズ開口数を示す]をrとしたとき、Pmin が0.33r≦Pmin ≦0.45rで示される範囲に入るようなマークエッジ記録を行うとき、最短記録ピットの記録パワーをPs 、他の記録ピットの記録パワーをPo としたとき、1.1≦Ps /Po ≦2.0を満たすことを特徴とする高密度光記録方法。【効果】 レーザースポット径に対して小さなピットを形成させる高密度記録が良好に行える。
請求項（抜粋）：
グルーブを有する透明な基板上に、直接又は他の層を介して、レーザー光を吸収する色素を含有する記録層と、該記録層の上に直接又は他の層を介して金属の反射層を有する光記録媒体に、最短ピット長をPmin 、λ/NA[λは記録波長[μm]、NAはピックアップの対物レンズ開口数を示す]をrとしたとき、Pmin が下記式で示される範囲に入るようなマークエッジ記録を行うとき、0.33r≦Pmin ≦0.45r最短記録ピットの記録パワーをPs 、他の記録ピットの記録パワーをPo としたとき、Ps /Po が下記式を満足することを特徴とする高密度光記録方法。1.1≦Ps /Po ≦2.0
IPC (4件)：
G11B 7/00 ,  B41M 5/26 ,  C09B 45/12 ,  G11B 7/24 516
FI (4件)：
G11B 7/00 L ,  C09B 45/12 ,  G11B 7/24 516 ,  B41M 5/26 Y
引用特許：
審査官引用 (14件)
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