特許
J-GLOBAL ID：200903086622208773
電子顕微鏡用試料作製方法、集束イオンビーム装置および試料支持台
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-301310
公開番号（公開出願番号）：特開2007-108105
出願日： 2005年10月17日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：
【課題】高精度の透過型電子顕微鏡観察ならびに電子線エネルギー損失分光法等の分析を高精度に行うことを目的とし、集束イオンビームによる種々の試料ダメージ層を除去した特定箇所の電子顕微鏡用試料を作製する方法及び装置を提供する。【解決手段】均一構造物上に不均一なパターンが形成され、その両者が含まれる箇所を断面電子顕微鏡用試料に作製する方法であって、シリコン基板4などの均一構造物上にデバイスパターン5などの不均一なパターンが形成され、均一構造物側からイオンビーム1を照射することにより試料を薄片化する電子顕微鏡試料作製方法を提供する。更に、この試料作製方法を実施するための集束イオンビーム装置および試料支持台などの作製装置を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
均一構造物上に不均一なパターンが形成され、その両者が含まれる箇所を断面電子顕微鏡用試料に作製する方法であって、
前記均一構造物側からイオンビームを照射することにより試料を薄片化することを特徴とする電子顕微鏡用試料作製方法。
IPC (5件)：
G01N 1/28
, G01N 1/32
, H01J 37/20
, H01J 37/30
, H01J 37/317
G01N1/28 F
, G01N1/28 G
, G01N1/32 B
, H01J37/20 Z
, H01J37/30 Z
, H01J37/317 D
2G052AA13
, 2G052AD32
, 2G052AD52
, 2G052EC14
, 2G052EC18
, 2G052EC22
, 2G052GA33
, 5C001AA01
, 5C001AA05
, 5C034AA09
, 5C034DD09
