特許

J-GLOBAL ID：200903086628467444

メモリセル装置

発明者： ジークフリート シュヴァルツル ,  ローター リッシュ
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-515275
公開番号（公開出願番号）：特表2001-519582
出願日： 1998年09月28日
公開日（公表日）： 2001年10月23日
要約：

【要約】メモリセル装置はワードライン(WL)及びこれらのワードライン(WL)に対して横方向に延在するビットライン(BL1、BL2)を有する。それぞれワードラインのうちの1つとビットラインのうちの1つとの間に、磁気抵抗効果を有するメモリ素子(S1、S2)が接続されている。これらのメモリ素子(S1、S2)は少なくとも2つの層に互いに上下に配置されいる。

請求項（抜粋）：

メモリセル装置において、 互いに基本的に平行に延在する複数のワードライン及び互いに基本的に平行に延在する複数のビットラインが設けられており、前記ワードラインは前記ビットラインに対して横方向に延在し、 メモリ素子には磁気抵抗効果を有する層構造が設けられており、前記メモリ素子はそれぞれ前記ワードラインのうちの1つと前記ビットラインのうちの1つとの間に配置されており、 前記メモリ素子は少なくとも2つの層に配置されており、該少なくとも2つの層は互いに上下に配置されている、メモリセル装置。

IPC (3件)：

G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (13件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA12 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA40 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083NA08 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 情報記録媒体とその記録方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-229532   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド及びメモリー素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-330010   出願人：松下電器産業株式会社