特許

J-GLOBAL ID：200903086633690305

エキシマ光照射装置

発明者： 菅原 寛 ,  廣瀬 賢一
出願人/特許権者： ウシオ電機株式会社
代理人 (1件)： 五十畑 勉男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-320248
公開番号（公開出願番号）：特開2006-134983
出願日： 2004年11月04日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：

【課題】 低温部となる不活性ガス噴出孔の周辺部に汚染物が付着さず、被処理物が汚染物によって汚染されることがないエキシマ光照射装置を提供することにある。【解決手段】 本発明のエキシマ光照射装置は、エキシマランプ2から放射されたエキシマ光を被処理物Wに照射するものであって、被処理物Wの処理空間に向けて不活性ガスを噴出する噴出孔41を有する不活性ガス流通部4が形成され、噴出孔周辺部41aを加熱する加熱手段を有していることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

エキシマランプから放射されたエキシマ光を被処理物に照射するエキシマ光照射装置において、 前記被処理物の処理空間に向けて不活性ガスを噴出する噴出孔を有する不活性ガス流通部が形成され、 前記噴出孔周辺部を加熱する加熱手段を有していることを特徴とするエキシマ光照射装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B01J 19/12 ,  B08B 7/00

FI (4件)：

H01L21/304 645D ,  H01L21/304 645A ,  B01J19/12 C ,  B08B7/00

Fターム (15件)：

3B116AA01 ,  3B116AB01 ,  3B116BB21 ,  3B116BB82 ,  3B116BC01 ,  4G075AA30 ,  4G075CA02 ,  4G075CA33 ,  4G075CA63 ,  4G075DA02 ,  4G075EB02 ,  4G075EC01 ,  4G075EC06 ,  4G075EE02 ,  4G075FC07

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 紫外光照射装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-298911   出願人：ホーヤ・ショット株式会社
• 特許第2823637公報
  
• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-223690   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-332527   出願人：佐々木亘, 黒澤宏, 横谷篤至, 窪寺昌一, 宮崎沖電気株式会社, 清本鐵工株式会社, 日之出酸素株式会社, 宮崎ダイシンキャノン株式会社, 福豊帝酸株式会社, 沖電気工業株式会社

審査官引用 (3件)

• 紫外光照射装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-298911   出願人：ホーヤ・ショット株式会社
• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-223690   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-332527   出願人：佐々木亘, 黒澤宏, 横谷篤至, 窪寺昌一, 宮崎沖電気株式会社, 清本鐵工株式会社, 日之出酸素株式会社, 宮崎ダイシンキャノン株式会社, 福豊帝酸株式会社, 沖電気工業株式会社