特許
J-GLOBAL ID:200903086643712455
遮断(blocked)ポリヒドロキシスチレン樹脂の精製溶液を製造する方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中林 幹雄
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-548772
公開番号(公開出願番号):特表2002-514792
出願日: 1999年04月23日
公開日(公表日): 2002年05月21日
要約:
【要約】(1)反応/フォトレジスト溶媒中に遮断(blocked)ポリヒドロキシスチレン樹脂および酸性触媒を含む不純反応溶液を形成する工程と、(2)アミン、少なくとも一種の親水性溶媒、少なくとも一種の疎水性溶媒および水を前記不純反応溶液に添加し、よって水、前記親水性溶媒およびアミンと前記酸性触媒の少なくとも一種の塩を含む水相、ならびに前記親水性溶媒、前記疎水性溶媒、前記反応/フォトレジスト溶媒および前記遮断ポリヒドロキシスチレン樹脂を含む有機相を形成する工程と、(3)前記水相を前記有機相から分離する工程と、(4)前記親水性溶媒および前記疎水性溶媒を前記有機相から除去し、よって前記反応/フォトレジスト溶媒中で前記遮断ポリヒドロキシスチレン樹脂の精製溶液を形成する工程とを含む、反応/フォトレジスト溶媒中の遮断ポリヒドロキシスチレン樹脂の精製溶液を製造する方法。
請求項(抜粋):
(1)反応/フォトレジスト溶媒中に遮断(blocked)ポリヒドロキシスチレン樹脂および酸性触媒を含む不純反応溶液を形成する工程と、(2)アミン、少なくとも一種の親水性溶媒、少なくとも一種の疎水性溶媒および水を前記不純反応溶液に添加し、よって水、前記親水性溶媒およびアミンと前記酸性触媒の少なくとも一種の塩を含む水相、ならびに前記親水性溶媒、前記疎水性溶媒、前記反応/フォトレジスト溶媒および前記遮断ポリヒドロキシスチレン樹脂を含む有機相を形成する工程と、(3)前記水相を前記有機相から分離する工程と、(4)前記親水性溶媒および前記疎水性溶媒を前記有機相から除去し、よって前記反応/フォトレジスト溶媒中で前記遮断ポリヒドロキシスチレン樹脂の精製溶液を形成する工程とを含む、反応/フォトレジスト溶媒中の遮断ポリヒドロキシスチレン樹脂の精製溶液を製造する方法。
IPC (2件):
G03F 7/039 601
, C08F 8/00
FI (2件):
G03F 7/039 601
, C08F 8/00
Fターム (27件):
2H025AA00
, 2H025AB16
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025BJ10
, 4J100AB02Q
, 4J100AB07P
, 4J100AD13Q
, 4J100AJ02Q
, 4J100AK32Q
, 4J100AL02Q
, 4J100AM01Q
, 4J100AM43Q
, 4J100BA02H
, 4J100BA03P
, 4J100BC04Q
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100CA31
, 4J100DA01
, 4J100GD01
, 4J100HA61
, 4J100HC13
, 4J100HC33
, 4J100HC77
, 4J100JA38
引用特許:
前のページに戻る