ポジ型レジスト組成物及びそれを用いた多層レジスト材料

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阿形明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-250712
公開番号（公開出願番号）：特開平10-097074
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】レジストパターン形状、感度、焦点深度幅特性及び引き置き経時安定性に優れ、かつ基板依存性のない化学増幅型のポジ型レジスト組成物及びこれをを用いた多層レジスト材料を提供する。【解決手段】 (A)(a)水酸基の一部をテトラヒドロピラニル基で保護したポリヒドロキシスチレンと(b)水酸基の一部を低級アルコキシアルキル基で置換したポリヒドロキシスチレンとの混合物から成る、酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大する樹脂成分、及び(B)放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物、並びに、基板上に設けられた反射防止膜上に、上記ポジ型レジスト組成物から成るレジスト層を有する多層レジスト材料である。

請求項（抜粋）：

(A)酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大する樹脂成分及び(B)放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物において、上記(A)成分が、(a)水酸基の水素原子の一部をテトラヒドロピラニル基で置換したポリヒドロキシスチレンと(b)水酸基の水素原子の一部を低級アルコキシアルキル基で置換したポリヒドロキシスチレンとの混合物であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/11 503 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 A , G03F 7/11 503 , H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-219757
レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-312669 出願人：日本ゼオン株式会社
レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-312670 出願人：日本ゼオン株式会社

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