特許
J-GLOBAL ID：200903086722410332

磁界センサ及び磁界センサの製造方法

発明者：
ファン デル ザーグ ピーター イアン

ファン デル ザーグ ピーター イアン について

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ミュンステルス ヘンドリク セオドラス

ミュンステルス ヘンドリク セオドラス について


出願人/特許権者：
フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ

フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ について


代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-504968
公開番号（公開出願番号）：特表2000-500292
出願日： 1997年06月06日
公開日（公表日）： 2000年01月11日
要約：
【要約】基板(1)、酸化ニッケルを含む交換バイアシング層(2)、交換バイアシング層(2)で交換バイアスした磁気層(3)の積み重ね構造を有し、少なくとも交換バイアシング層(2)をNe及び/又はHeを含むスパッターガスを用いてスパッター堆積により設けることを特徴とする磁界センサの製造方法。磁気層(3)はパーマロイを含むのが好ましい。特定例において、磁気層(3)を第2の磁気層(5)から中間の非磁気層(4)により分離して、スピンバルブ三重層を形成する。
請求項（抜粋）：
基板、 酸化ニッケルを含む交換バイアシング層、 交換バイアシング層で交換バイアスした磁気層 の積み重ね構造を有し、少なくとも交換バイアシング層をスパッター堆積により設ける磁界センサの製造方法において、 前記スパッター堆積を、Ne及び/又はHeを含むスパッターガスを用いて実施することを特徴とする磁界センサの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 43/12 ,  G01R 33/09 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08
FI (4件)：
H01L 43/12 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R
引用特許：
審査官引用 (4件)
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