特許
J-GLOBAL ID：200903086774493619

強誘電体膜の製造方法、強誘電体素子の製造方法、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器

発明者：
岩下 節也

岩下 節也 について

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樋口 天光

樋口 天光 について

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宮澤 弘

宮澤 弘 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 渡邊 隆 ,  志賀 正武 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-085760
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296679
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】任意の基板上に高性能な強誘電体素子を形成することができ、これにより強誘電体素子と半導体素子との集積化を容易にした強誘電体膜の製造方法および強誘電体素子の製造方法を提供し、さらにこれら製造方法から得られる強誘電体膜あるいは強誘電体素子を用いた表面弾性波素子、およびこの表面弾性波素子を用いた周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器を提供する。【解決手段】単結晶基板1上に犠牲層としても機能するバッファー層2を形成する工程と、バッファー層2上に強誘電体素子6(強誘電体薄膜4)を形成する工程と、強誘電体素子6(強誘電体薄膜4)を単結晶基板1から分離する工程と、単結晶基板1から分離された強誘電体素子を任意基板上に配設する工程と、を備えた強誘電体素子の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に犠牲層としても機能するバッファー層を形成する工程と、 前記バッファー層上に強誘電体膜を形成する工程と、 前記強誘電体膜を単結晶基板から分離する工程と、 前記単結晶基板から分離された強誘電体膜を任意基板上に配設する工程と、 を備えたことを特徴とする強誘電体膜の製造方法。
IPC (8件)：
H01L41/22 ,  H01L27/105 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H03B5/30 ,  H03H3/08 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64
FI (9件)：
H01L41/22 Z ,  H03B5/30 A ,  H03H3/08 ,  H03H9/25 C ,  H03H9/25 Z ,  H03H9/64 A ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/08 C ,  H01L41/18 101A
Fターム (26件)：
5F083FR01 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083PR05 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5J079AA06 ,  5J079HA06 ,  5J079HA29 ,  5J097AA29 ,  5J097AA30 ,  5J097BB11 ,  5J097DD28 ,  5J097EE07 ,  5J097FF02 ,  5J097FF07 ,  5J097GG03 ,  5J097GG04 ,  5J097KK08 ,  5J097KK09 ,  5J097KK10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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