特許

J-GLOBAL ID：200903033464159216

ニオブ酸カリウム圧電薄膜を有する表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器

発明者： 岩下 節也 ,  樋口 天光 ,  宮澤 弘
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 渡邊 隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-073090
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017981
出願日： 2002年03月15日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 高いk2を有する表面弾性波素子、この表面弾性波素子を用いた周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器を提供する。【解決手段】 (110)Si基板1上にSrO、若しくはMgOからなる第1の酸化物薄膜層2及びSrTiO3 からなる第2の酸化物薄膜層3を順に形成し、又は(100)Si基板11上にCeO2 、ZrO2 、若しくはイットリウム安定化酸化ジルコニウムからなる第1の酸化物薄膜層12およびSrTiO3 からなる第2の酸化物薄膜層13を順に形成し、これら第2の酸化物薄膜層3、13上にKNbO3圧電薄膜4、14を形成し、更に該KNbO3圧電薄膜上に酸化物又は窒化物からなる保護膜5、15を形成し、この保護膜の上に電極を形成して表面弾性波素子を作る。この表面弾性波素子を用いて周波数フィルタ、発振器、電子回路、又は電子機器を作る。

請求項（抜粋）：

(110)シリコン基板とニオブ酸カリウム圧電薄膜を有する表面弾性波素子であって、前記シリコン基板、その上に形成された第1の酸化物薄膜層、該第1の酸化物薄膜層の上に形成された第2の酸化物薄膜層、該第2の酸化物薄膜層の上に形成された前記ニオブ酸カリウム圧電薄膜、及びその上に形成された酸化物または窒化物からなる保護薄膜を有することを特徴とする表面弾性波素子。

IPC (9件)：

H03H 9/25 ,  C01G 33/00 ,  C30B 29/30 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H03B 5/30 ,  H03H 9/145 ,  H03H 9/72

FI (9件)：

H03H 9/25 C ,  C01G 33/00 A ,  C30B 29/30 A ,  H03B 5/30 A ,  H03H 9/145 Z ,  H03H 9/72 ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/08 C

Fターム (36件)：

4G048AA04 ,  4G048AC01 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  4G077AA03 ,  4G077BC31 ,  4G077DA03 ,  4G077EA02 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF02 ,  4G077HA11 ,  4G077SA04 ,  5J079AA06 ,  5J079BA43 ,  5J079BA44 ,  5J079HA05 ,  5J079HA06 ,  5J079HA16 ,  5J079HA22 ,  5J079HA25 ,  5J097AA06 ,  5J097AA31 ,  5J097AA32 ,  5J097BB01 ,  5J097BB15 ,  5J097DD28 ,  5J097EE08 ,  5J097FF02 ,  5J097FF03 ,  5J097FF08 ,  5J097HA03 ,  5J097KK08 ,  5J097KK09 ,  5J097KK10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 弾性表面波素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-292646   出願人：山之内和彦, ヤマハ株式会社
• 弾性表面波素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-080553   出願人：ヤマハ株式会社
• 酸化物誘電体薄膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-156737   出願人：住友電気工業株式会社
• 表面弾性波素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-002565   出願人：セイコーエプソン株式会社