特許
J-GLOBAL ID：200903086787642257

半導体装置の製造方法

発明者：
植田 展正

植田 展正 について

, 
水野 祥司

水野 祥司 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-326930
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144173
出願日： 1999年11月17日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 素子分離構造を採用する半導体装置の製造工程の簡略化を図る【解決手段】 素子形成用のウェハ1を用意する。そして、ウェハ1の表面側から所定深さのトレンチ2を形成したのち、トレンチ内を絶縁層3で埋め込み素子形成領域それぞれを素子分離する。次に、ウェハ1の裏面側から絶縁層3が露出するようにウェハ1をCMP研磨する。このように、ウェハ1の裏面側からウェハ1を研磨してウェハ1の厚みを薄くするようにすることで、絶縁層3がウェハ1の表裏面に貫通して配置されるようになり、素子分離が行える。これにより、従来のように貼り合わせウェハを用いなくても素子分離を行うことができるため、半導体装置の製造工程の簡略化を図ることができる。
請求項（抜粋）：
表面(1a)及び裏面(1b)を有する素子形成用のウェハ(1)を用意する工程と、前記ウェハの複数の素子形成領域(4)の間に、該ウェハの表面側から所定深さのトレンチ(2)を形成する工程と前記トレンチ内を絶縁層(3)で埋め込み、前記素子形成領域それぞれを素子分離する工程と、前記ウェハの裏面側から前記絶縁層が露出するように該ウェハの厚みを薄くする工程と、を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/76 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/301
FI (4件)：
H01L 21/304 621 B ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/78 Q
Fターム (4件)：
5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA47 ,  5F032DA33
引用特許：
審査官引用 (2件)

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