特許
J-GLOBAL ID：200903086846203637
嫌気性アンモニア酸化細菌の培養方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-071558
公開番号（公開出願番号）：特開2006-246847
出願日： 2005年03月14日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
【課題】アンモニアと亜硝酸とを基質とする嫌気性アンモニア酸化細菌の培養において、基質を無駄なく供給して高い菌体濃度の種汚泥を生成したり、運転の立ち上げを短期間で行うことができる。【解決手段】亜硝酸とアンモニアを基質として嫌気的に脱窒を行なう嫌気性アンモニア酸化細菌を培養槽12で培養する嫌気性アンモニア酸化細菌の培養装置10において、培養槽12にアンモニアを所定濃度で供給するアンモニア供給手段14と、培養槽12に亜硝酸を所定濃度で供給する亜硝酸供給手段16と、基質の供給速度Yを制御する制御装置22と、を備えて構成される。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
亜硝酸とアンモニアを基質として嫌気的に脱窒を行なう嫌気性アンモニア酸化細菌を培養槽で培養する嫌気性アンモニア酸化細菌の培養方法において、
前記基質の供給速度をY、前記基質の供給定数をK、対数増殖期に入ってからの培養日数をT、培養運転開始時の基質濃度をAとしたときに、前記嫌気性アンモニア酸化細菌が対数増殖期に入ったときから、次式(1)
Y=A×exp(K×T)...(1)
を満たすように、前記培養槽へ供給する基質の供給速度Yを制御することを特徴とする嫌気性アンモニア酸化細菌の培養方法。
IPC (3件)：
C12N 1/20
, C02F 3/00
, C12M 1/00
C12N1/20 A
, C02F3/00 G
, C12M1/00 C
4B029AA01
, 4B029AA21
, 4B029BB02
, 4B029CC03
, 4B065AA01X
, 4B065BB05
, 4B065BB12
, 4B065BB40
, 4B065BC05
, 4B065BC18
, 4B065BC41
, 4B065CA54
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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引用文献：
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