特許

J-GLOBAL ID：200903086860849981

半導体基材及びその製造方法

発明者： 只友 一行 ,  岡川 広明 ,  湖東 雅弘 ,  大内 洋一郎
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-083324
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274093
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 従来の選択成長に用いられるSiO2などのマスク材料を用いること無しに転位密度を低減させた、高品質なエピタキシャル膜を備える半導体基材及び成長方法を提供すること。【解決手段】 先ず、基板1の結晶成長面に凸部11と凹部12とを設ける。その後、この基板に例えばGaN系化合物半導体などの半導体結晶成長用の原料ガスを供給し、凸部11の上方部から専ら結晶成長させることで第1の半導体層2を形成する。この際、ラテラル方向成長が生じることで凹部12が空洞部13となって残留する。そして第1の半導体層2の表面に、表面状態を変化させる物質(アンチサーファクタント材料)を作用させ、アンチサーファクタント材料3を固定化させる。しかる後、原料ガスを供給し、半導体結晶からなるドット構造を新たな結晶成長核として生成される第2の半導体層4を形成して、本発明の半導体基材が完成する。

請求項（抜粋）：

基板の結晶成長面が凹凸面とされ、該凹凸面における凸部の上方部から専ら結晶成長させて第1半導体層が形成され、その上にアンチサーファクタント材料が固定化された界面又は領域を介して第2半導体層が形成されていることを特徴とする半導体基材。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Fターム (23件)：

5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF14 ,  5F045BB12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F073CA01 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 量子ドット形成方法及び量子ドット構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-233442   出願人：理化学研究所, 田中悟
• GaN系半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-155838   出願人：三菱電線工業株式会社, 理化学研究所, 田中悟