特許
J-GLOBAL ID：200903086867438766
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-124278
公開番号（公開出願番号）：特開2008-282903
出願日： 2007年05月09日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：
【課題】MIM構造の容量素子の耐圧を向上させる。【解決手段】半導体装置100は、シリコン基板101の上部に設けられた下部電極119、下部電極119の上部に設けられるとともに、下部電極119の一部と重なるように設けられた上部電極123、下部電極119と上部電極123との間に設けられた容量膜121、および、上部電極123の上部に接して設けられるとともに下部電極119の上部に選択的に設けられ、下部電極119よりも膜密度の高い第二絶縁膜125を含む。第二絶縁膜125が、上部電極123の側面および上面を被覆している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
容量素子を有する半導体装置の製造方法であって、
半導体基板の上部に、第一導電膜、第一絶縁膜および第二導電膜をこの順に形成する工程と、
前記第二導電膜を選択的に除去して上部電極を形成する工程と、
前記上部電極が形成された前記半導体基板の素子形成面に、前記第一絶縁膜の上面から前記上部電極の上面にわたって、前記第一絶縁膜の上面ならびに前記上部電極の側面および前記上面を覆う第二絶縁膜を形成する工程と、
前記第二絶縁膜、前記第一絶縁膜および前記第一導電膜を順次選択的に除去して、前記第二絶縁膜を所定の形状に加工するとともに容量膜および下部電極を形成する工程と、
を含み、
前記第二絶縁膜の膜密度が、前記第一絶縁膜よりも膜密度より高い、半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F038AC04
, 5F038AC05
, 5F038AC15
, 5F038AC16
, 5F038AC18
, 5F038EZ20
