特許
J-GLOBAL ID:200903086873916300

レジストパターンの形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-332023
公開番号(公開出願番号):特開平9-171951
出願日: 1995年12月20日
公開日(公表日): 1997年06月30日
要約:
【要約】【課題】 基板との密着性に優れたレジストパターンを形成し得るレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 基板の表面を、フッ素原子を含有する表面処理剤で処理する工程、前記処理後の基板上に、レジストを塗布してレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜にパターン露光を施す工程、及び前記露光後のレジスト膜を、現像液を用いて現像処理する工程を具備し、前記基板の表面処理により、表面の極性およびこの基板上に形成されるレジスト膜表面の極性の差が抑制される。
請求項(抜粋):
基板の表面を、フッ素原子を含有する表面処理剤で処理する工程、前記処理後の基板上に、レジストを塗布してレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜にパターン露光を施す工程、および前記露光後のレジスト膜を、現像液を用いて現像処理する工程を具備し、前記基板の表面処理により、基板表面およびこの基板上に形成されるレジスト膜表面の極性の差が抑制されることを特徴とするレジストパターン形成方法。
引用特許:
審査官引用 (8件)
  • 特開昭59-061034
  • 特開平1-155625
  • レジスト塗布方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-211265   出願人:株式会社東芝
全件表示

前のページに戻る