特許
J-GLOBAL ID：200903086880652696
薄膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-178956
公開番号（公開出願番号）：特開平8-041645
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1996年02月13日
要約：
【要約】【目的】 成膜後に基体に生じがちな保護膜の剥離をほぼ完全に防止して基体の表面全体に亘って均質な保護膜を迅速に、しかも安定且つ確実に成膜して、製品の歩溜り及び信頼性の大幅な向上を図る。【構成】 水素処理手段2を、原反9が配設されたキャン10と対向配置されてなる接地されたアノード18と、この水素処理手段2内に水素ガスを導入するための導入管17と、図示しない後述の調節機構とから構成し、成膜手段3にて原反9の表面に保護膜を連続成膜する直前にこの原反9の表面に水素処理を施す。
請求項（抜粋）：
磁性層が形成された磁気記録媒体の基体が表面に配置されたカソードと、この基体と対向配置されてなるアノードとが設けられた成膜手段を有し、前記カソードに所定の電力を供給して前記基体表面に保護膜を形成する薄膜形成装置において、流入された水素ガスをイオン化させて上記基体表面に供給する水素処理手段を備え、この水素処理手段において上記基体表面を前記水素ガスにより洗浄し活性化させた直後に保護膜を形成することを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (3件)：
C23C 16/02
, C23C 16/26
, G11B 5/84
