不純物をドープした耐放射線赤外線検出器及び赤外線信号検出方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福田賢三 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-142608
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326379
出願日： 2000年05月16日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】低ドーズ、高エネルギー放射線環境の外乱影響が避けられない場合の、専用赤外線画像化用途向けの改良検出器を提供する。【解決手段】本発明の検出器構造には多数キャリアの効率的な不純物光励起が起きるが、不純物電気伝導機構により電荷移動が実質的に起きないようにする半導体アクテイブ素子が含まれる。注入層はアクテイブ素子の一方の側面に配置され低温でも多数キャリアがアクテイブ素子に容易に注入されるようにするため十分高濃度の不純物を含有する。シンク層はアクテイブ素子の反対側面に配置されかつ高エネルギー放射線中にアクテイブ素子から現れる少数キャリアを除去する。構造体には両端にバイアス電位を加えるための2つの電極が追加される。逆極性のバイアスが印加されると構造体は通常の不純物をドープした赤外線検出器と同様の方法で動作するが、順方向極性のバイアスを印加することにより初期状態に周期的にリセットされる。

請求項（抜粋）：

多数キャリアの効率的な不純物光励起は起きるが、不純物電気伝導機構により電荷移動が実質的に起きないようにする量で適度にアクセプタまたはドナー不純物のいずれかを適度にドープした半導体アクテイブ素子と、前記アクテイブ素子の一方の側面に配置されかつ多数キャリアが前記アクテイブ素子に容易に注入されるようにするため十分高濃度の不純物を含有する注入層と、前記アクテイブ素子の反対側面に配置されかつ高エネルギー放射線中に前記アクティブ層で発生した少数キャリアを流し出すように作用するシンク層と、構造体両端にバイアス電位を加える第1及び第2電極と、を有し、不純物をドープした赤外線検出器が、Ta=(Ea-Ev)/k、またはTd=(Ec-Ed)/k、以下の温度で動作するように意図される、ここで、Ea、Ev、Ec、Ed及びkはそれぞれアクセプタエネルギーレベル、価電子帯エネルギーレベル、伝導帯エネルギーレベル、ドナーエネルギーレベル、及びボルツマン定数である、ことを特徴とする不純物をドープした赤外線検出器。

IPC (6件)：

H01L 31/108 , G01J 1/02 , H01L 31/0248 , H01L 31/0264 , H01L 35/00 , H01L 37/02

FI (6件)：

G01J 1/02 B , H01L 35/00 S , H01L 37/02 , H01L 31/10 C , H01L 31/08 H , H01L 31/08 L

Fターム (21件)：

2G065AA04 , 2G065AB02 , 2G065BA09 , 2G065CA25 , 2G065DA18 , 5F049MA05 , 5F049MB03 , 5F049NA07 , 5F049NA12 , 5F049NA17 , 5F049NA20 , 5F049NB05 , 5F049QA20 , 5F049SE05 , 5F088AA11 , 5F088AB03 , 5F088AB07 , 5F088BA03 , 5F088BB03 , 5F088DA05 , 5F088LA01

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-074079
特開昭54-074387
光検知装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-042180 出願人：富士通株式会社

全件表示

前のページに戻る