特許
J-GLOBAL ID：200903086937075992

リードフレームおよびこれを用いた半導体装置の製造方法

発明者：
小林 健

小林 健 について

, 
諏合 久雄

諏合 久雄 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-210304
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032709
出願日： 2004年07月16日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】製造が容易で、極めて薄くかつ信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】金属製の板状体からなるリードフレーム本体と、前記リードフレーム本体表面のリード形成領域に所望の深さで形成されたリード形成用の溝部と、前記溝部内から、前記リードフレーム本体表面上に突出するように形成され、前記リードフレーム本体と異なる材料で形成され表面が半導体チップのボンディングパッドとの共晶温度が250°C以下であるような材料で被覆されたリードとを具備したリードフレームを使用し、チップ搭載後、リードフレーム本体をエッチング除去し薄型の半導体装置を提供することを特徴とする。 【選択図】図1
請求項（抜粋）：
金属製の板状体からなるリードフレーム本体と、前記リードフレーム本体表面のリード形成領域に所望の深さで形成されたリード形成用の溝部と、前記溝部内から、前記リードフレーム本体表面上に突出するように形成され、前記リードフレーム本体と異なる材料で形成されたリードとを具備し、 前記リードの表面が、この上に実装される半導体チップのボンディングパッドとの共晶温度が、前記リード内部よりも低い金属層で構成されたことを特徴とするリードフレーム。
IPC (3件)：
H01L 23/48 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/50
FI (4件)：
H01L23/48 P ,  H01L21/56 T ,  H01L23/50 D ,  H01L23/50 R
Fターム (16件)：
5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061CB12 ,  5F061CB13 ,  5F061DD13 ,  5F061EA03 ,  5F067AA01 ,  5F067AB04 ,  5F067AB10 ,  5F067BA02 ,  5F067BC12 ,  5F067BE01 ,  5F067DA16 ,  5F067DC11 ,  5F067DE14
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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