ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-315413
公開番号（公開出願番号）：特開2008-129399
出願日： 2006年11月22日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：

【課題】ArFリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、良好なマスク忠実性、特にLERの小さいパターンを与えるレジスト材料。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分(A)と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物(B)とを含有し、樹脂成分(A)が下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物であり、かつ酸を発生する化合物(B)がフッ素含有スルホネートよりなるスルホニウム塩化合物であるポジ型レジスト材料。(R1はH又はメチル基。R2は含フッ素置換基。nは1又は2。a、b、c、dはそれぞれ0.01以上1未満であり、a+b+c+d=1である。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分(A)と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物(B)とを含有し、樹脂成分(A)が下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物であり、かつ酸を発生する化合物(B)が下記一般式(2)で示されるスルホニウム塩化合物であることを特徴とするポジ型レジスト材料。

IPC (4件)：

G03F 7/039 , H01L 21/027 , G03F 7/38 , C08F 220/28

FI (4件)：

G03F7/039 601 , H01L21/30 502R , G03F7/38 , C08F220/28

Fターム (44件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BF02 , 2H025BG00 , 2H025FA01 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096BA20 , 2H096DA01 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096JA02 , 2H096JA03 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL08S , 4J100BA03Q , 4J100BA03S , 4J100BA11R , 4J100BB07S , 4J100BB17S , 4J100BB18S , 4J100BC03P , 4J100BC03S , 4J100BC04P , 4J100BC04S , 4J100BC08S , 4J100BC09Q , 4J100BC53P , 4J100BC53R , 4J100BC53S , 4J100CA06 , 4J100DA01 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (2件)

レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-050264 出願人：富士通株式会社
レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-312722 出願人：富士通株式会社

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