特許

J-GLOBAL ID：200903086983156484

半導体受光素子

発明者： 加藤 和利 ,  脇田 紘一
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-321572
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176783
出願日： 1993年12月21日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】半導体上に形成したショットキー接合を用いて動作させる半導体受光素子において、電極微細化の限界に伴って応答速度が律速されるという従来技術の有していた課題を解消して、高速かつ高効率な MSM フォトダイオードを提供すること。【構成】上記目的は、半導体基板上に積層された、該半導体基板よりも小さいバンドギャップを有する光吸収層の上面に、一対の櫛形ショットキー電極を配置した半導体受光素子において、上記光吸収層の一部または全体を多重量子井戸構造としたことを特徴とする半導体受光素子とすることによって達成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に積層された、該半導体基板よりも小さいバンドギャップを有する光吸収層の上面に、一対の櫛形ショットキー電極を配置した半導体受光素子において、上記光吸収層の一部または全体を多重量子井戸構造としたことを特徴とする半導体受光素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 超格子受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-115940   出願人：光技術研究開発株式会社
• 特開平4-106984
  
• 光検出器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-035692   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開昭62-217674