特許
J-GLOBAL ID：200903087017429756

導電性基板およびその製造方法

発明者：
田中 正太郎

田中 正太郎 について

, 
大橋 純平

大橋 純平 について

, 
高田 育

高田 育 について


出願人/特許権者：
東レ株式会社

東レ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-013502
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227906
出願日： 2007年01月24日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】 この発明は、透明で、モアレ現象が発生せず、特にプラズマディスプレイパネルで特徴的に求められる低周波領域での磁界シールド性にも優れる導電性基板を提供する。【解決手段】 基板の少なくとも片面に、金属微粒子層がランダムな網目状に積層され、該金属微粒子層上にめっき金属層が積層されたランダム網目層を有する導電性基板であって、該導電性基板の少なくとも片面の該めっき金属層の厚みが1.5μm以上であり、該導電性基板の全光線透過率が65%よりも大きく、かつ該導電性基板の少なくとも片面の表面比抵抗が0.5Ω/□よりも小さい、導電性基板。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
基板の少なくとも片面に、金属微粒子層がランダムな網目状に積層され、該金属微粒子層上にめっき金属層が積層されたランダム網目層を有する導電性基板であって、 該導電性基板の少なくとも片面の該めっき金属層の厚みが1.5μm以上であり、 該導電性基板の全光線透過率が65%よりも大きく、かつ該導電性基板の少なくとも片面の表面比抵抗が0.5Ω/□よりも小さい、 導電性基板。
IPC (5件)：
H05K 9/00 ,  G09F 9/00 ,  B32B 15/02 ,  B32B 15/04 ,  B32B 7/02
FI (6件)：
H05K9/00 V ,  G09F9/00 309A ,  G09F9/00 313 ,  B32B15/02 ,  B32B15/04 ,  B32B7/02 104
Fターム (70件)：
4F100AB01B ,  4F100AB01C ,  4F100AB01D ,  4F100AB01E ,  4F100AB17 ,  4F100AB24 ,  4F100AG00 ,  4F100AK41 ,  4F100AK42 ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA05 ,  4F100BA06 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100BA10E ,  4F100BA25 ,  4F100DC16B ,  4F100DC16D ,  4F100DE01B ,  4F100DE01D ,  4F100EH46 ,  4F100EH462 ,  4F100EH71 ,  4F100EH712 ,  4F100EJ82 ,  4F100EJ822 ,  4F100EJ85 ,  4F100EJ852 ,  4F100EJ86 ,  4F100EJ862 ,  4F100GB41 ,  4F100JD06A ,  4F100JD06B ,  4F100JD06C ,  4F100JD06D ,  4F100JD06E ,  4F100JG04B ,  4F100JG04C ,  4F100JG04D ,  4F100JG04E ,  4F100JG06 ,  4F100JM01 ,  4F100JN01A ,  4F100JN01B ,  4F100JN01C ,  4F100JN01D ,  4F100JN01E ,  4F100JN06B ,  4F100JN06D ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C ,  4F100YY00D ,  4F100YY00E ,  5E321AA04 ,  5E321AA23 ,  5E321BB23 ,  5E321BB41 ,  5E321BB44 ,  5E321CC16 ,  5E321GG05 ,  5E321GH01 ,  5G435AA01 ,  5G435AA16 ,  5G435BB06 ,  5G435GG33 ,  5G435HH12 ,  5G435KK07
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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